对于该研发中心建设进展，Lee Woo kyung称：“我们在ASML韩国华城园区附近找到新址，明年动工。完工后拟引进 High-NA 设备，最晚2027年完成。”此次ASML韩国首次透露出研发中心具体选址和引入 High-NA 设备的时间表。
High-NA EUV 光刻机能实现2纳米以下工艺，使各大厂商争夺其产能。去年12月消息，英特尔已收到ASML交付的首台这种设备。
三星电子已表示2027年计划生产1.4纳米工艺品。
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